化学气相沉积( Chemical Vapor Deposition,CVD),顾名思义就是利用气态先驱反应物，通过原子、分子间化学反应的途径来生成固态薄膜的技术。

化学气相沉积技术，简称CVD技术。它是利用加热、等离子体增强、光辅助等手段在常压或低压条件下使气态物质通过化学反应在基体表面上制成固态薄膜的一种成膜技术。

(1)电阻加热式蒸发源的特点、使用要求及选材 电阻加热式蒸发源结构简单、使用方便、易于制作，是应用最为广泛的一种蒸发源。人们通常称为发热体或蒸发舟。 加热所用电阻材料的要求是:使用温度高、电阻率适宜、高温下蒸气压低，不与膜材发生化学反应，不产生放气和污染等。所选用的电阻加热材料主要来源于难熔金属，如W、Mo、Ta等材料或选用高纯、高强度石墨或氮化硼合成导电陶瓷等材料。有时，也可选用Fe、Ni、Ni-Cr 合金及 Pt等作为蒸发源材料。 各种电阻加热式蒸发源的常用材料(如 Ti、Mo、C、Ta、W 等)的熔点和蒸气压与温度的关系曲线不同。其中钨在加热到蒸发温度时，会因加热结品而变脆。钼则会因纯度不同而有所不同，有的会变脆，有的则不会变脆。钨和水汽起反应，会形成挥发性氧 化物 WO3。因此，钨在残余水汽中加热时，加热材料会不断受到损耗。残余气体压力低时,虽然材料损耗并不多，但是，它对于膜的污染是较严重的。

在真空蒸发镶与真空离子镇的过程中，将膜材登于 1000°C~2000°C 高温下，使其燕发汽化的装置，称为蒸发源。蒸发源种类较多，蒜发源汽化膜材的原理也各不相同。但是，就其应用特点而言，在设计或应用时，主要应考虑如下几方面问题： ①蒸发源应满足膜材蒸发时具有较大的蒸发速率，并且能存储足够数量的膜材； ②蒸发源应具有较好和较长的使用寿命； ③蒸发源的使用范围应当广泛，既可蒸发金属或合金（如 Al、Ti、Fe. Co. Cr）也可 蒸发化合物（如 SiO、SiO2、Zns 等）； ④蒸发源在结构上应力求简单、易手制作、使用维护方便、运转费用低廉。