1、真空蒸发镀膜设备过程包括膜料物质的蒸发、蒸气原子在高真空中传输和蒸气原子在工件表面形核、成长为成膜的过程。

2、真空蒸发镀膜的沉积真空度高，一般为 10-510-3Pa。气体分子自由程为1~10m 数量级，远大于蒸发源到工件的距离，这个距离叫蒸发距离，一般为 300~800mm。膜层粒子几乎不与气体分子和蒸气原子发生碰撞，径直达到工件。

3、真空蒸发镀膜膜层没有绕镀性，蒸气原子在高真空度下径直方向工件。工件上只有面向蒸发源的一面可获得膜层，工件的侧面、背面几乎得不到膜层，膜层的绕镀性差。

4、真空蒸发镀膜层粒子的能量低，其到达工件的能量是蒸发时所携带的热能。由于真空蒸发镀膜时工件不加偏压，金属原子只是靠蒸发时的汽化热，蒸发温度为 1000~2000℃，携带的能量相当于 0.1~0.2eV， 所以膜层粒子的能量低，膜层和基体结合力小，很难形成化合物涂层。

5、 真空蒸发镀膜层组织细密。真空蒸发镀过程是在高真空下形成的，蒸气中的膜层粒子基本上是原子尺度，在工件表面形成细小的核心，生长成细密的组织。