离子束辅助沉积的方式主要有两种，一是动态混合式；二是静态混合式。前者是指膜在生长过程中始终伴随着一定的能量和束流的离子轰击而成膜的；后者则是预先在基体表面上沉积一层小于几纳米厚度的膜层，然后再进行动态的离子轰击，并且可如此重复多次而生长成膜层。

    离子束辅助沉积薄膜中所选用的离子束能量多在30eV到100keV之间。选用的能量范围大小取决于合成薄膜的应用种类。例如，制备腐蚀防护、抗机械磨损、装饰用涂层等薄膜则应选用较高的轰击能量。实验表明，如选用20～40keV能量的离子束轰击时，对基体材料和膜本身的损伤都不会影响其性能和使用。在制备光学和电子器件薄膜时，则应选择较低能量的离子束辅助沉积，这不但能减少光吸附和避免电激活缺陷的形成，而且也有利于形成膜的稳态结构。研究表明，选用低于500eV的离子能量就可以获得性能优异的薄膜。

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