CVD 技术中的各类成膜方法及特点

文章作者：广东尊龙凯时

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发布时间：2024-06-04

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依据在CVD工艺过程中参与反应气体压力的大小，反应程度的高低以及采用的化学手段的不同，可将所运用各种不同类型的CVD成膜方法分成不同类别，见表

CVD方法分类	沉积速率/(μm/min)	温度范围/℃	例实
常压高温 CVD法(NPCVD法)	500~1500	600~1200	SiCl₄/H₂
常压低温 CVD法	约100	200~500	SiCl₄/O₂
低压高温CVD法(LPCVD法)	约10	—	SiH₄(26.6Pa)
低压低温CVD法(LPCVD法)	—	600~700	450以下
等离子体增强CVD法(PEVCD法)	8~150	约 500	TiCl₄/H₂·N₂
金属有机化合物VCD法(MOCVD法)	20~60	500~600	(CH₃)Ga/(C₂H₅)Sb
光辅助CVD法(PhotoniCVD法)	约120	—	WF₄/H₂

CVD技术具有如下一些特点；①设备的工艺操作较简单、灵活性较强，能制备出配比各异的单一或复合膜层和合金膜层;②CVD法的适用性较广泛，可制备各种金属或金属膜涂层;③因沉积速率可高达每分钟几微米到数百微米，因此生产效率高;④与PVD法相比较绕射性好，非常适宜涂覆形状复杂的基体，如槽沟、涂孔甚至盲孔结构均可镀制成膜;⑤涂层致密性好，由于成膜过程温度较高，膜基界面上的附着力很强，故膜层十分牢固;⑥承受放射线辐射后的损伤较低，能与MOS集成电路工艺相融合。CVD技术的不足，一是沉积温度高，可达800~1100℃。在这样高的温度下工件易于变形，特别是对于那些不耐高温变化的高精度尺寸的工件，其用途会受到一定的限制;二是由于参与沉积的反应物质及反应后的气体大都具有易燃、易爆、有毒或是有一定腐蚀性，因此必须采取一定的防护措施。